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想回国做一个PC机公司

2018-08-31 06:06 admin

  所以这是一个非常难的技术,我们做的呢,就是次于光刻机最难做的等离子刻蚀机,就是要精雕细刻,等离子刻蚀机的复杂度是这样,恐怕有上千个刻蚀的工艺过程要开发出来,刻不同的材料,不同的形状。有的是刻存储器件,有的刻逻辑器件的,有的是刻传感器的,所有的设计都不一样,每一个设计每一种具体刻蚀应用都有它的挑战性。刻蚀机要刻出三维四维,很复杂的形状,在工艺开发上是最复杂的。

  这里我顺便说一下,所谓德国工业4.0提出了量体裁衣的智能化生产,其实在集成电路产业,十几年前就已经实现了。最先进的芯片生产就是量体裁衣的,全部是智能控制的。

  另外我们公司还有一个特点是,是中国唯一的一家公司,11年来一直和美国三大公司打官司没断过,而且每次打得很凶险。

  在我们回国之前就出了一件大事,一个大陆留学生和一个台湾留学生在硅谷做PC机的生产的,想回国做一个PC机公司,就从原公司拿了一些图纸,还有一些零部件,从旧金山要坐飞机回国了。

  这里面做一个金属导管一样的,充了电就是一,放了电就是零,就是计算机的1010,它有一个读数器,去读哪个孔是一哪个孔是零,这样就编码了。

  我们对竞争者的3000多个专利做了深入的分析,确保我们的设计不会侵犯任何人的专利。

  可以想象米粒刻字,你知道水平最高的工匠在一个米粒上面能刻多少字,我看过,最多是250多个,现在我可以在米粒那么大的面积,可以刻1亿个中文字,甚至可能会刻到10亿个中文字。如果你用超高的电子显微镜看,真的看到就是中文字,很漂亮的。这是20年前芯片一种比较简单的结构,现在比较复杂了,但是就拿这个例子,你可以看到黄的那个都是铜,下面很多柱子,灰色是钨,下面有粉色的,下面还有灰色的,都是下面的结构。我们先讲一下这个东西怎么做出来。这里一个桥,那里像城市街道,还有像高速公路,这些怎么做的?刚才我们说了,在硅底物上先铺一层薄膜,然后上面甩一层光组,光组是什么东西?是一种聚合物,见了光它就分解,然后光刻机就是曝光,上面就做一个圆孔的模板,然后用光刻机这个光线,就这个孔可以缩小,然后在底物上曝光后那部分光敏的光刻胶就分解了。北京赛车投注:你洗掉了就出来一个圆洞。然后呢用我们的等离子刻蚀,是一种等离子体,它有化学活性,可以加不同的气体,不同的活性,不同的材料有选择性,这样刻下去以后,薄膜就出来一个圆洞,然后下一步用强力的除胶机把没有曝光的光刻胶也除掉,这样就等于在我铺的薄膜上出了一个洞,然后我上面放一个铜板,一次攻击一个铜板,把铜的原子轰击到表面层,很薄的一层,就几层原子。把这个硅片上都是铜膜的,放在电解槽里面,通上负电去镀铜,铜就堆积起来,多镀一点就满出来了,从那孔出来,就平了这一层。然后化学机械抛光,磨床一样磨掉,这里就出了一个铜柱。

  如果哪个国家想把它据为己有是不切实际的,也是做不到的。美国在这个芯片技术的开发上,确实起了领先的作用,但是后来30年来,这个技术和产业一直向亚洲移动,现在75%以上的芯片生产线都在亚洲,发明创造也好,生产规模也好,多数都在亚洲。

  这基本就是一个逻辑的诉讼,不需要证据的。在美国没有证据也可以告,但是我们就要证明我们是清白。怎么证明呢?我要请美国一流的律师来查我所有的文件。是我们雇了律师查我们自己600多万件文件和30多人的PC机和办公室,不是美国政府查我的,这个现在要澄清这个事。

  我在应用材料公司做了14年,这个公司在美国硅谷有66个国家的精英通力合作,开发了一个又一个复杂的设备。

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  现在因为光阻越做越薄越小,它的准确度差了。所以在光刻胶的基础上,底下做成双层模板或者三层模板,那种比较复杂的叫模板的技术。这样的话呢,又增加了好多次的刻蚀,先要把模板刻好,才能刻下面的东西,所以等离子刻蚀机越来越多,等离子刻蚀机的步骤从14纳米到5纳米增加了三倍。

  总的步骤,到了5纳米的时候,最新的数据是2000个步骤,才能做出来,原来是1000多个步骤。

  如果每次合格率99.9%,那0.999的一千次方变成52%,这也不行,一个芯片生产公司要做到合格率80%到85%以上才赚钱,合格率80%以下就赔钱了。

  近年来,我国互联网迅猛发展,但也出现一些问题,网络谣言时有出现,误导了公共舆论,影响了人们的正常生活,扰乱了社会秩序,损害了网民的合法权益,对社会发展稳定产生了干扰。人民群众对此深恶痛绝,迫切要求加强治理。为回应群众关切,解民所需,释民所惑,推动辟谣工作常态化、专业化,中国互联网联合辟谣平台应时而生,这标志着网络谣言治理进入了新阶段,对于实现“使网络空间清朗起来”,具有重要意义。据新华社电

  英特尔早期就是做memory的,我84年去英特尔中心研发部就做存储器EPROM的。后来英特尔集中力量做逻辑器件的CPU了。然后还有一个格罗方德,是中东的阿布达比的投资商,在美国建立一个叫全球晶圆,国际上就这八家。

  我在84年进入英特尔中心研究开发部时,这些设备公司很小,小到十几个人,大到一两百,两三百人。

  当时有30多个公司竞争,结果Lam就脱颖而出了。后来Lam去收购做薄膜的公司,但当时公司在管理上出了很多问题。本来应用材料公司做老一代刻蚀机,后来又做不过Lam。我又被应用材料公司拉去,在应材工作了13年多,帮助应用材料做出了几种成功的刻蚀机,使应材的刻蚀机业务做到世界最大,占了国际市场40%多。

  半导体进入10奈米以下技术节点或三维(3D)结构时,将面临严重的导孔偏移问题,所幸,设备商已研发出具备更高影像解析能力的微距量测扫描式电子显微镜(CD-SEM),可提供更清晰的对焦和更精细的量测影像,有效克服导孔对准挑战。

  多年来,业界一直使用微距量测扫描式电子显微镜(CD-SEM)来进行量测,此种显微镜会射出电子束,与要扫描的材料作用,然后回传讯号,再由量测机台比对运算这些讯号。今日,针对小于10奈米(nm)的尺寸,CD-SEM或其他所有量测设备,必须处理更多的薄膜层、更高的纵横比(HAR)、更窄的间距,以及三维(3D)架构的轮廓和形状,人们对于这些设备是否具备此等能力,提出严重的质疑。

  在量测技术、多重微影技术与材料的改良下,半导体装置的3D记忆体与临界尺寸(CD)能够沿用到小于10奈米制程。在10奈米制程上,元件的复杂度不断提高,使得目前的光微影技术遭遇到极为重大的挑战。鳍式场效电晶体(FinFET)与3D储存型快闪记忆体(NANDFlash)设计,让需要量测与控制的参数持续增加,进一步提高图案制作与量测的复杂性。

  应用材料对CD-SEM技术进行重大的改良,在最近于加州举行的国际光学工程学会(SPIE)先进微影技术研讨会上,展示这项量测技术的可沿用性。此项改良技术的主要应用,包括有效将新的先进CD-SEM技术应用于逻辑导孔(LogicVias)、复杂的叠层(Overlay)、超高纵横比的先进记忆体(HARContacts)等高难度制程挑战。

  从图1可看出在沟槽内导孔底部临界尺寸与对准方面,所面临的量测与监控挑战--导孔的边缘与位置必须精确,才能确保底层与叠覆金属层间的正确连结。位在右侧的导孔并未与下方的铜线对准,将会影响到各层间的导电性;底下的SEM影像则显示偏移与对准导孔间的差异。这两组关键影像,都是采用称为背向散射电子(BSE)影像技术取得,这项技术正成为可行的量测技术。这个例子显示,在此等复杂的多步骤制程中,可使用CD-SEM做为有效的量测与对准技术。

  图1沟槽中的导孔影像,由Fischer博士等人在2013年SPIE会议上发表。

  由于目前的CD-SEM技术不够精确,若要针对小于10奈米尺寸找出导孔对准的问题,则须提高扫描电子显微镜(SEM)的解析度。由于制程必须一路往下对准底部抗反射涂层(BARC)、硬质罩幕层,以及金属(接点或鳍片),因此今日业界的新发展,是使用数千伏特能源的SEM来「透视」到最低层,比较先进CD-SEM与传统SEM技术,可看出在透视材料时,拥有更高解析度影像显示能力。

  CD-SEM可结合BSE讯号轻取导孔线中最上方的SEM显示适当蚀刻后的接触导孔,导孔完全蚀刻穿透,而下图中的导孔则未完全穿透,须要在进行沉积前修正。能够针对此等HAR接触导孔取得影像,是因为使用改良的侦测与收集技术。结合BSE讯号与增强的过滤技术(只针对碰到底层表面后返回的电子,运用其讯号),就能够取得底层的影像,并传回HAR导孔的线D量测技术迭有突破

  除了以上范例成功针对小于10奈米尺寸运用CD-SEM技术外,应用材料也提出先前所述应用的案例,将CD-SEM应用于FinFET电晶体与矽奈米线D量测。前述的这些主题都有一个共通点,就是能够让受到光微影限制的2D影像缩放技术,转换为以量测与材料为主的3D图案影像技术。

  幸运的是,量测技术的进展正在克服主要的制程微缩问题。小于10奈米结构与3D记忆体需要更高解析度的SEM,提供更清晰的对焦、更精细的影像与资料撷取方法,以及对形状更为敏感、以物理学为基础的模型和模拟技术。未来也会须要结合不同的量测技术,包括CD-SEM、CD原子力显微镜(AFM),以及穿透式电子显微镜(TEM)。

  4月10日消息,丁文武先生表示,希望通过部市联手,将中国电子信息博览会打造成行业领先、亚洲第一、世界一流的权威展示平台。[详细]

  我国在发展集成电路时面临着发达国家的技术封锁。为此,现在每年进口芯片所花的费用达到2000多亿美元,超过石油的进口额。[详细]

  互联网在各个领域里面是竞争最残酷的。在这么残酷竞争里面,只有把自己做到极致。传统企业打价格战,互联网从不打价格战,因为他们一上来就免费。”[详细]

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